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電子回路の過去問

国試第12回午後：第19問

正しいのはどれか。

a:非安定マルチバイブレータはパルス発生回路である。
b:非安定マルチバイブレータはフリップフロップとも呼ばれる。
c:単安定マルチバイブレータには2個以上のコンデンサが必要である。
d:単安定マルチバイブレータがパルスを発生するためにはトリガが必要である。
e:双安定マルチバイブレータは2進カウンタに用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第12回午後：第18問

図1の電圧波形をオペアンプを用いた図2の回路に加えた。出力波形で正しいのはどれか。

12PM18-0

国試第12回午後：第17問

オペアンプを用いた図の回路について正しいのはどれか。

12PM17-0
1:Vo = 2Viである。
2:Viに対する入力インピーダンスは1kΩ以下である。
3:負帰還が用いられている。
4:電力増幅を行うために用いられる。
5:出力インピーダンスは1kΩ以上である。

国試第12回午後：第16問

増幅器について正しいのはどれか。

1:電圧増幅を行うとき出カインピーダンスは高い方がよい。
2:生体信号を増幅するには入力インピーダンスをできるだけ低くする必要がある。
3:入力段で発生した雑音は信号とともに増幅されることはない。
4:ダイナミック・レンジが広いと広範囲の電圧の入力をひずみなく増幅できる。
5:利得を増加すると増幅可能な周波数帯域幅が広くなる。

国試第12回午後：第14問

正しいのはどれか。

a:電荷結合素子(CCD)は電子内視鏡に用いられている。
b:液晶は発光素子である。
c:硫化カドミウム(CdS)素子は赤外線センサである。
d:光電子増倍管はシンチレーションカウンタに用いられている。
e:ホトダイオードは光通信に用いられている。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第12回午後：第15問

図の回路の入力Viは振幅5Vの正弦波である。電池を直流定電圧源、ダイオードを理想ダイオードとしたとき出力Voに最も近い波形はどれか。

12PM15-0

国試第12回午後：第13問

抵抗変化を利用する素子はどれか。

1:ホール素子
2:熱電対
3:サーミスタ
4:太陽電池
5:圧電素子

国試第8回午後：第31問

図に示す論理回路について正しいのはどれか。

8PM31-0
a:入力Xが1のとき、出力は常に1である。
b:入力Xが0のとき、出力は常に0である。
c:入力Zが1のとき、出力は常に0である。
d:入力Zが0のとき、出力は常に1である。
e:入力X、Y、Zがすべて1のとき、出力は0である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第8回午後：第22問

正しいのはどれか。

a:pnpn接合のサイリスタは、pn接合ダイオードに比べて整流特性が2倍向上している。
b:CCDはMOS構造における空乏層に電荷を蓄える素子である。
c:LEDの材料として、電子と正孔とが直接的に再結合しやすい半導体が適する。
d:エキシマレーザの波長はYAGレーザの波長より長い。
e:光ファイバのクラッドの屈折率はコアの屈折率より大きい。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第8回午後：第21問

正しいのはどれか。

a:金属に電界をかけると電界に比例するドリフト電流が流れる。
b:pn接合はオームの法則が成立する二端子の線形素子である。
c:電子と正孔とが再結合するときはエネルギーを吸収する。
d:バイポーラトランジスタは電子または正孔の1種類のキャリアを利用するものである。
e:FETの特徴はゲート入力抵抗がきわめて高いことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第8回午後：第20問

半導体素子について正しいのはどれか。

a:半導体レーザは主に紫外域の光を発する。
b:ホトダイオードの原理はCDS素子と同じである。
c:バイポーラトランジスタは電流で電流をコントロールする増幅素子である。
d:半導体のホール素子は磁気検出に用いられる。
e:熱電対は半導体素子である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第8回午後：第18問

演算増幅器を用いた微分回路として正しいのはどれか。

8PM18-0

国試第8回午後：第17問

図に示す理想的な演算増幅器を用いた電圧増幅回路の利得はいくらか。

8PM17-0
1:$\frac{2}{5}$
2:$\frac{2}{3}$
3:$\frac{3}{2}$
4:$\frac{5}{3}$
5:$\frac{5}{2}$

国試第3回午後：第27問

光センサとして使用できないのはどれか。

1:光電子増倍管
2:ホト・ダイオード
3:ホト・トランジスタ
4:光ファイバ
5:太陽電池

国試第8回午後：第16問

図に示す帰還増幅回路の総合利得で正しいのはどれか。

8PM16-0
1:A
2:Aβ
3:$\frac{1}{1+A\beta}$
4:$\frac{A}{1+A\beta}$
5:$\frac{A}{1-A\beta}$

国試第8回午後：第15問

図に示す回路について正しいのはどれか。

8PM15-0
a:エミッタ接地トランジスタ増幅回路である。
b:直流増幅回路である。
c:FET増幅回路である。
d:電源電圧VDDとして負電圧を加える。
e:R2は増幅素子保護のための抵抗である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第8回午後：第14問

定電圧ダイオードの電圧-電流特性はどれか。

8PM14-0

国試第3回午後：第24問

論理演算回路の基本でないのはどれか。

1:AND
2:OR
3:NOT
4:BCD
5:NOR

国試第3回午後：第23問

図の近似的な微分回路における入力電圧viの波形と、出力電圧voの波形の組合せとして誤っているのはどれか。

3PM23-0

国試第3回午後：第22問

誤っているのはどれか。

1:抵抗とコンデンサのみで近似的な積分回路を作ることができる。
2:抵抗とインダクタンス(コイル)のみで近似的な微分回路を作ることができる。
3:抵抗とコンデンサのみで近似的な微分回路を作ることができる。
4:抵抗と演算増幅器のみで微分回路を作ることができる。
5:抵抗とコンデンサと演算増幅器を用いると精度のよい積分回路を作ることができる。