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電子回路の過去問

国試第26回午前：第60問

0?8Vの範囲で動作する12 bitのAD変換器がある。およその分解能[mV]はどれか。

1:1
2:2
3:4
4:8
5:16

国試第26回午前：第53問

図に示すような波形の入力電圧viが加えられたとき、出力電圧voの波形を出力する回路はどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

26AM53-0

国試第26回午前：第51問

図の回路について、入力電圧viと電圧vm間に成り立つ関係式で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

26AM51-0
1:vm = - 2vi
2:vm = -vi
3:vm = 0
4:vm = vi
5:vm = 2vi

国試第26回午前：第52問

図の回路において時刻t ＝ 0sでスイッチを閉じた。出力電圧V0の経過を表す式はどれか。ただし、コンデンサの初期電荷はゼロとし、Aは理想演算増幅器とする。

26AM52-0
1:V0 = 2t
2:V0 = -2t
3:V0 = 0
4:V0 = (1/t)
5:V0 = - (1/t)

国試第26回午前：第50問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b:MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第37回午前：第59問

図の網掛け部分を表す論理式はどれか。

137159
1:$A \cdot \overline{B} \cdot C + \overline{A} \cdot B \cdot C$
2:$(A \cdot B + \overline{A} \cdot \overline{B}) \cdot C$
3:$(A \cdot B + \overline{A} \cdot B) \cdot \overline{C}$
4:$(A + B) \cdot (\overline{A} + \overline{B}) \cdot \overline{C}$
5:$(A + B) \cdot (\overline{A} + \overline{B}) \cdot C$

国試第37回午前：第58問

0～8mVの範囲で動作する12bitのAD変換器がある。およその分解能［μV］はどれか。

1:1
2:2
3:4
4:8
5:16

国試第37回午前：第53問

光源としてバックライトを有するのはどれか。

1:液晶ディスプレイ
2:有機ELディスプレイ
3:LEDディスプレイ
4:プラズマディスプレイ
5:CRTディスプレイ

ME2第32回午前：第46問

図のように反転増幅器にステップ電圧を入力した（t=0でスイッチSを入れる）。出力電圧Voはどれか。ただし、コンデンサCの電荷の初期値は0とする。

img11210-46-0

国試第37回午前：第54問

正しいのはどれか。

1:マンガン乾電池は二次電池である。
2:電池は電圧のリプルが大きい。
3:電池の放電容量の単位はFである。
4:インバータ回路は交流電圧を直流電圧に変換する。
5:安定化電源は負荷抵抗が変動しても一定電圧を出力する。

国試第37回午前：第55問

図の回路で入力波形と出力波形の組合せで正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器で、入出力波形の図は同一スケールとする。

137155

国試第37回午前：第52問

誤っているのはどれか。

1:p形半導体は不純物半導体である。
2:n形半導体の多数キャリアは正孔である。
3:高純度のシリコン結晶は真性半導体である。
4:空乏層はpn接合部に生じる。
5:理想ダイオードに順方向電圧を印加すると電流が流れる。

ME2第32回午前：第38問

0～10Vの入力信号を8ビットで量子化するAD変換器がある。分解能はおよそ何Vか。

1:0.01
2:0.04
3:0.12
4:0.25
5:0.5

ME2第32回午前：第35問

図の回路において、Viに3Vの信号を入力するとVoは何Vになるか。

img11210-35-0
1:1
2:2
3:3
4:6
5:12

国試第5回午後：第26問

最高周波数1kHzまで含むアナログ信号をA/D変換するとき、サンプリング周波数（kHz）として不適切なのはどれか。

1:1.5
2:2.5
3:3.5
4:4.5
5:5.5

国試第5回午後：第27問

光エレクトロニクスについて正しいのはどれか。

1:フォトトランジスタを用いて電気信号を光信号に変えることができる。
2:光ファイバを用いて位相のそろった光を発生できる。
3:太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。
4:光電子増倍管は電子流を増幅して光を発生する。
5:フォトダイオードを用いて光信号を電気信号に変えることができる。

国試第5回午後：第24問

CMOS論理回路について誤っているのはどれか。

1:消費電力が大きい。
2:雑音に強い。
3:CMOSの名称はnMOSとpMOSという相補的(Complementary)なデバイスを用いることから来ている。
4:低電圧でも動作する。
5:CMOSデバイスは電圧で制御される。

国試第5回午後：第23問

図の論理回路について正しいのはどれか。

5PM23-0
1:入力1が0のとき、出力は常に0である。
2:入力1が1のとき、出力は常に1である。
3:入力3が0のとき、出力は常に0である。
4:入力3が1のとき、出力は常に1である。
5:入力123がすべて0のとき、出力は1である。

国試第10回午後：第19問

正しいのはどれか。

a:無安定マルチバイブレータは発振回路である。
b:単安定マルチバイブレータは計数回路に用いられる。
c:双安定マルチバイブレータは三角波を発生する回路である。
d:双安定マルチバイブレータはフリップフロップ回路とも呼ばれる。
e:双安定マルチバイブレータはメモリ回路に用いられる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第5回午後：第22問

図の負帰還増幅回路で、増幅器単独の利得$A=-1×10^5$、帰還回路の伝達特性β=0.01のとき、総合利得Gとして正しいのはどれか。

5PM22-0
1:$-10$
2:$-10^2$
3:$-10^3$
4:$-10^4$
5:$-10^5$