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電子回路の過去問

国試第10回午前：第51問

電圧増幅器の入力インピーダンスについて正しいのはどれか。

a:入力信号の周波数に依存する。
b:センサのもつインピーダンスに対して充分低い必要がある。
c:出力電圧と入力電圧との比である。
d:単位にはデシベルを用いる。
e:入力電圧と入力電流の波形からその位相特性がわかる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第10回午前：第50問

差動増幅器の性能を評価する事項でないのはどれか。

1:同相除去比(CMRR)
2:周波数特性
3:入カ換算雑音
4:入カインピーダンス
5:電極インピーダンス

国試第7回午後：第14問

正しいのはどれか。

a:2進法の0101は10進法の9を表す。
b:入力がX=0、Y=0のOR回路の出力は1である。
c:入力がX=1、Y=0のNAND回路の出力は1である。
d:100倍の電圧増幅度をデシベル単位で表すと40dBである。
e:1000倍の電力増幅度をデシベル単位で表すと100dBである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第7回午後：第15問

図の論理回路について正しいのはどれか。

7PM15-0
1:入力Xが0のとき、出力は常に0である。
2:入力Xが1のとき、出力は常に1である。
3:入力Zが0のとき、出力は常に1である。
4:入力Zが1のとき、出力は常に0である。
5:入力X、Y、Zがすべて1のとき、出力は0である。

国試第7回午後：第13問

演算増幅器を用いた回路として正しいのはどれか。

7PM13-0

国試第7回午後：第11問

図に示したトランジスタ回路について正しいのはどれか。

7PM11-0
a:エミッタフォロワと呼ばれる。
b:出力信号電圧は入力信号電圧とほぼ等しい。
c:インピーダンス変換回路として用いられる。
d:入力信号電流より大きな出力信号電流を取り出すことはできない。
e:信号の電力増幅を行うことはできない。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第7回午後：第10問

正しいのはどれか。

1:npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2:コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3:ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4:MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5:MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

国試第7回午後：第9問

誤っているのはどれか。

1:FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2:バイポーラトランジスタでは正孔と電子とにより電流が形成される。
3:ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4:トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5:FETは可変抵抗素子としても使われる。

国試第7回午前：第82問

心電計の商用交流雑音（ハム）を除くためのフィルタの周波数特性として適切なのはどれか。（ただしfcは商用周波数である。）

7AM82-0

国試第13回午後：第28問

255mV及び0Vを入力したとき、出力が2進数表示で、それぞれ11111111及び00000000となるA/D変換器がある。このA/D変換器に35mVを入力したときの出力はどれか。

1:10101
2:100011
3:110011
4:1000110
5:1010010

国試第13回午後：第23問

論理式$\overline{A+\overline{B}}$に等しいのはどれか。

1:$ A\cdot\overline{B}$
2:$\overline{A}\cdot B$
3:$\overline{A}\cdot\overline{B}$
4:$\overline{A}+B$
5:$ A+\overline{B}$

国試第13回午後：第21問

図の回路に入力(vi)を加えたとき、出力(vo)に最も近い波形はどれか。ただし、トランジスタの直流電流増幅定数(hfe)は100とする。

13PM21-0

国試第13回午後：第20問

正しいのはどれか。

a:水晶振動子を用いた発振回路は周波数安定度が高い。
b:オペアンプでは発振回路を実現できない。
c:発振には負帰還が必要である。
d:双安定マルチバイブレータは発振回路である。
e:LC発振回路ではインダクタンスと静電容量の値で発振周波数が決まる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第13回午後：第19問

負荷ZLの変動に関わらず入力電圧viに比例する電流ioをZLに供給するための素子Xはどれか。ただし、オペアンプは理想的なものとする。

13PM19-0
1:抵抗
2:コンデンサ
3:インダクタ
4:ダイオード
5:電池

国試第13回午後：第18問

差動増幅率20dBの増幅器に10Vの同相入力を加えたとき、出力電圧が10mVであった。CMRR(同相除去比)はどれか。

1:20dB
2:40dB
3:60dB
4:80dB
5:100dB

国試第13回午後：第17問

図の電圧増幅回路について正しいのはどれか。ただし、オペアンプは理想的なものとする。

13PM17-0
a:反転増幅回路である。
b:電圧利得は20dBである。
c:負帰還が用いられている。
d:a-b間の電圧は入力電圧に等しい。
e:入力インピーダンスは11kΩである。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第13回午後：第16問

図の電圧増幅回路でV0はどれか。ただし、$\log_{10}{2}=0.3$とする。

13PM16-0
1:54mV
2:60mV
3:340mV
4:500mV
5:680mV

国試第13回午後：第13問

正しいのはどれか。

a:pチャネルFETの伝導電荷は電子である。
b:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
c:FETはユニポーラトランジスタとも呼ばれる。
d:バイポーラトランジスタの入力インピーダンスはMOS-FETより低い。
e:バイポーラトランジスタにはpnp形とnpn形とがある。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第13回午後：第12問

ダイオードについて誤っているのはどれか。

1:p形とn形の半導体が接合した構造である。
2:順バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が指数関数的に増加する。
3:逆バイアス時には印加電圧の増加とともに電流が減少する。
4:逆バイアス電圧によって空乏層容量を変えることができる。
5:逆バイアス電圧が大きいと降伏現象を生じる。

国試第9回午後：第29問

論理演算で正しいのはどれか。$\left(\overline{X+Y}\right)\bullet\left(\overline{X\bullet{Y}}\right)=$

1:$X\bullet\overline{Y}$
2:$\overline{X}\bullet{Y}$
3:$\overline{X}\bullet\overline{Y}$
4:$X\bullet{Y}$
5:$\overline{X}+\overline{Y}$