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電子回路の過去問

国試第10回午後：第18問

図に示す差動増幅回路で同相除去比（CMRR）が100dB、差動増幅度が40dBのとき回路の出力電圧V0はどれか。

10PM18-0
1:10V
2:1 V
3:0.1V
4:0.01V
5:0.001V

国試第5回午後：第21問

負帰還増幅回路として正しいのはどれか。

5PM21-0

国試第10回午後：第17問

正しいのはどれか。

a:正帰還回路は発振回路に用いられる。
b:直流増幅回路は直流成分だけを増幅する回路である。
c:負帰還をかけると周波数特性が悪くなる。
d:負帰還をかけると増幅度が大きくなる。
e:水晶発振回路はRC発振回路よりも周波数安定度が高い。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第10回午後：第16問

正しいのはどれか。

a:演算増幅器を用いて積分回路を作ることができる。
b:演算増幅器では反転入力端子と非反転入力端子との電位差はほぼ0である。
c:同相除去比(CMRR)を小さくするために演算増幅器による差動増幅回路を用いる。
d:入力インピーダンスを小さくするために演算増幅器による非反転増幅回路を用いる。
e:出力インピーダンスを大きくするために演算増幅器を用いる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第5回午後：第20問

誤っているのはどれか。

1:FETの種類としてジャンクション形とMOS形とがある。
2:バイポーラトランジスタでは正孔と電子により電流が形成される。
3:ダイオードの端子電圧と電流との関係は線形である。
4:トランジスタの接地法のうち、エミッタ接地は一般によく用いられる。
5:FETは増幅素子のほか可変抵抗素子としても使われる。

国試第10回午後：第13問

正しいのはどれか。

a:液晶は表示装置に用いられる。
b:CCD(電荷結合素子)は表示装置に用いられる。
c:CRTは受光素子である。
d:サイリスタは電源回路に用いられる。
e:光電子増倍管は受光素子である。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第10回午後：第15問

エミッタフォロアについて正しいのはどれか。

a:インピーダンス変換のために用いられる。
b:エミッタが接地されている。
c:入力と出力との位相関係は逆相である。
d:電流増幅度は1以上とならない。
e:電圧増幅度は1以上とならない。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第10回午後：第14問

電源回路について誤っているのはどれか。

1:リップル率は全波整流回路の方が半波整流回路より小さい。
2:回路構成は定電圧回路を平滑回路の前に置く。
3:平滑回路はコンデンサの充放電を利用して交流成分を取り除く。
4:定電圧回路にはツェナーダイオードが用いられる。
5:出力電圧の変動は入力電圧と出力電流との変動により起こる。

国試第5回午後：第19問

半導体素子の記号として誤っているのはどれか。

5PM19-0

国試第10回午後：第12問

電子素子について正しいのはどれか。

a:サーミスタは温度変化に対して抵抗値の変化が大きい。
b:バリスタは加える電圧により抵抗値が変化する。
c:硫化カドミウム(CdS)は光の強さに応じて起電力が変化する。
d:ホトダイオードは磁気‐電気変換素子である。
e:発光ダイオード(LED)は電気‐光変換素子である。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第11回午後：第18問

誤っているのはどれか。

1:硫化カドミウム(CdS)素子は可視光を検出できる。
2:サイリスタは超音波発生素子である。
3:電荷結合素子(CCD)は画像入力に用いられる。
4:差動トランスは変位計測に用いられる。
5:サーミスタは温度センサである。

国試第11回午後：第21問

真理価表を実現する図の回路（半加算器）において、二つの論理素子（X、Y）はどれか。

11PM21-0
1:( NAND、NOR )
2:( AND 、NOR )
3:( OR 、NAND )
4:( AND 、OR )
5:( NOR 、AND )

国試第11回午後：第20問

実効値100Vの正弦波交流を図の回路に入力した。正しい出力波形はどれか。ただし、変圧器およびダイオードの損失はないものとする。

11PM20-0

国試第11回午後：第19問

図1の電圧波形を図2の回路に加えた。十分に時間が経過した後の出力電圧波形はどれか。ただし、Dは理想ダイオードとする。

11PM19-0

国試第11回午後：第17問

正しいのはどれか。

1:太陽電池は光エネルギーを貯える素子である。
2:ホトダイオードは光信号を電気信号に変える。
3:半導体レーザは位相のそろった光を電気信号に変える。
4:発光ダイオードは半導体レーザの一種である。
5:光電子増倍管は光を増幅して高エネルギーの光を発生する。

国試第11回午後：第16問

正しいのはどれか。

a:水晶振動子を用いた発振回路は周波数安定度が高い。
b:演算増幅器では発振回路を実現できない。
c:発振には負帰還が必要である。
d:LC発振回路ではインダクタンスと静電容量の値で発振周波数が決まる。
e:無安定マルチバイブレータは発振回路である。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第11回午後：第15問

演算増幅器を用いて低域フィルタを作りたい。図のAB間に挿入すべき素子はどれか。

11PM15-0
1:ダイオード
2:インダクタ
3:スイッチ
4:抵抗
5:基準電圧源

国試第11回午後：第14問

図の演算増幅器を用いた回路の電圧増幅度（V0／Vi）はどれか。

11PM14-0
1:-3
2:-2
3:1
4:2
5:3

国試第11回午後：第13問

FETのゲート電圧（VGS）に対するドレーン電流（ID）の特性を測定した。正しいのはどれか。

11PM13-0

国試第11回午後：第12問

トランジスタについて正しいのはどれか。

a:インピーダンス変換回路はエミッタホロワで作ることができる。
b:FETはバイポーラトランジスタより高入力インピーダンスの回路を実現できる。
c:バイポーラトランジスタは2端子素子である。
d:FETは入力電流で出力電流を制御する素子である。
e:MOSFETのゲートはpn接合で作られる。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e