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医用電気電子工学の過去問

国試第21回午後:第15問

図の回路はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

21PM15-0
1:差動増幅回路
2:反転増幅回路
3:非反転増幅回路
4:微分回路
5:積分回路

国試第21回午後:第19問

振幅変調において搬送波の周波数を900kHzとしたとき、被変調波の側波帯周波数が895kHzと905kHzであった。信号波の周波数はどれか。

1:5kHz
2:10kHz
3:895kHz
4:905kHz
5:1800kHz

国試第21回午後:第20問

振幅変調において、搬送波の振幅が10V、信号波の振幅が2Vである。変調率はどれか。

1:0.1
2:0.2
3:0.3
4:0.4
5:0.5

国試第21回午後:第18問

通信方式について正しいのはどれか。

a:信号の振幅に応じて搬送波の位相を変調する方式をPWMという。
b:信号の振幅に応じて搬送波の振幅を変調する方式をFMという。
c:信号の振幅をパルス符号に対応させて変調する方式をPCMとう。
d:0、1の2値信号を周波数の高低に対応させて変調する方式をFSKという。
e:伝送路の周波数帯域を分割して多チャンネル信号を多重化する式をTDMという。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第59問

図の回路に等価なのはどれか。

25AM59-0
1:0R
2:AND
3:NOR
4:NOT
5:NAND

国試第21回午後:第16問

図の回路において入力電圧Viと出力電圧Voの関係を表す式はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

21PM16-0
1:$V_{0}=-\frac {1}{CR}\frac {dV_{i}}{dt}$
2:$V_{0}=-CR\frac {dV_{i}}{dt}$
3:$V_{0}=-\frac {1}{CR}\int V_{i}dt$
4:$V_{0}=-CR\int V_{i}dt$
5:$V_{0}=-\frac {R}{C}\int V_{i}dt$

国試第25回午前:第58問

RGB各色を8bitで量子化した縦1,000画素、横1,000画素の画像のデータ量[byte]はどれか。ただし、画像の圧縮やヘッダ情報の付加はないものとする。

1:1,000,000
2:3,000,000
3:8,000,000
4:10,000,000
5:24,000,000

国試第21回午後:第17問

図の回路に、周波数fの正弦波電圧viを入力した。出力電圧voについて正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器、fo = 1 / 2πCfRf とする。

21PM17-0
a:fがfoより十分小さければ vo = -(Rf/Ri) vi となる。
b:fがfoより十分大きければ vo = -(Rf/Ri)vi となる。
c:f = fo でvoの振幅は最大となる。
d:fがfoより十分小さければvoの振幅は0に近づく。
e:fがfoより十分大きければvoの振幅は0に近づく。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第56問

読み取りのみに用いるのはどれか。

1:CD-ROM
2:USBメモリ
3:DVD-RW
4:光磁気ディスク
5:ソリッドステートドライブ(SSD)

国試第25回午前:第57問

オペレーティングシステムでないのはどれか。

1:Linux
2:Excel
3:UNIX
4:Android
5:Windows7

国試第21回午後:第14問

図1に示す正弦波電圧viを図2の端子AB間に入力するとき、端子CD間の電圧波形voはどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

21PM14-0

国試第21回午後:第13問

半導体について正しいのはどれか。

a:温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b:不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c:Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d:n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e:pn接合は発振作用を示す。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第55問

振幅変調(AM)において変調波が1~2kHzの周波数帯域を持つ信号で搬送波の周波数が1,000kHzであるとき、被変調波の側波について正しいのはどれか。

a:上側波帯の最高周波数は1,002kHzである。
b:上側波帯の最低周波数は1,000kHzである。
c:下側波帯の最高周波数は998kHzである。
d:下側波帯の帯域幅は 2 kHz である。
e:上・下側波帯の周波数スペクトルは対称である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第21回午後:第12問

発光素子はどれか。

1:ホトダイオード
2:サイリスタ
3:LED
4:CdS
5:CCD

国試第25回午前:第53問

図の回路でVaが20mVのときVi[mV]とVo[mV]の正しい組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25AM53-0
1:Vi =-2 , Vo = -400
2:Vi =-1, Vo = -200
3:Vi =-1, Vo = 200
4:Vi =2 Vo = 200
5:Vi =2 Vo = 400

国試第25回午前:第54問

図の回路はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25AM54-0
1:積分回路
2:微分回路
3:反転増幅回路
4:非反転増幅回路
5:差動増幅回路

国試第21回午後:第10問

図の回路の二次側で消費する電力はどれか。ただし、変圧器は理想的であり、巻数比は1:10とする。

21PM10-0
1:0.01 W
2:0.1 W
3:1 W
4:10W
5:100 W

国試第25回午前:第52問

図Aの回路における端子電圧Vと電流Iの関係を図Bに示す。この電池に2.5Ωの負荷抵抗を接続したとき、電流 I [A]はどれか。ただし、図Aの点線内は電池の等価回路である。

25AM52-0
1:0.3
2:0.4
3:0.5
4:0.6
5:0.7

国試第21回午後:第9問

図の回路の交流電源の周波数fを変化させたとき、電流iの振幅について正しいのはどれか。ただし、回路の共振周波数をfoとする。

21PM9-0
1:fo付近ではfに比例する。
2:fo付近ではfに反比例する。
3:fo/$\sqrt2$ から$\sqrt2$fo の間で一定となる。
4:foで最大となる。
5:foで最小となる。

国試第25回午前:第51問

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

25AM51-0
1:バイポーラトランジスタ
2:MOS-FET
3:接合形FET
4:サイリスタ
5:フォトダイオード