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第27回国試午前51問の類似問題

国試第6回午後：第23問

正しいのはどれか。

a:バイポーラトランジスタを用いて信号の増幅が行える。
b:FETを用いて論理回路は構成できない。
c:演算増幅器は論理演算回路を集積して作られている。
d:論理回路と抵抗、コンデンサを用いて能動フィルタを構成する。
e:C-MOS論理回路の特徴の一つは消費電力が小さいことである。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第1回午後：第11問

電気および磁気のシールド（遮蔽）について正しいのはどれか。

a:接地された良導体で完全に囲んだ領域の内部の電界の変動は、外部にほとんど影響を及ぼさない。
b:接地された良導体で完全に囲んだ領域の外部の電界のは、内部にほとんど影響を及ぼさない。
c:磁気シールドをするには、その領域をできるだけ透磁率が小さい材料で囲めばよい。
d:十分低い周波数の妨害については、その領域を誘電率が非常に大きい材料で囲めば電界も磁界もシールドされる。
e:十分高い周波数の妨害については、その領域を良導体で囲めば電界も磁界もシールドされる。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第9回午後：第19問

磁気センサはどれか。

1:サイリスタ
2:ホール素子
3:バリスタ
4:差動トランス
5:ISFET

ME2第31回午前：第41問

生体用電極で正しいのはどれか。

1:複数の電極を使用する場合には異種の金属電極を使用する。
2:電極の面積が大きいほど電極インピーダンスは小さくなる。
3:電極インピーダンスは周波数に比例して増加する。
4:電極インピーダンスは電気化学反応とは無関係である。
5:生体との接触面は金属でなければならない。

国試第26回午前：第50問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類がある。
b:MOS-FETは金属一酸化膜一半導体の構造をもつ。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて大きい。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

ME2第37回午前：第54問

接触インピーダンスが最も低い電極はどれか。

1:除細動器のパドル電極
2:心電国モニタのディスポ電極
3:電気メスの導電型対極板
4:体外式ペースメーカのカテーテル電極
5:脳波計の針電極

国試第38回午前：第54問

正しいのはどれか。

1:焦電素子は磁気計測に利用される。
2:サーミスタは非接触に体温計測できる。
3:ひずみゲージは圧電効果を利用した素子である。
4:抵抗膜方式のタッチパネルは手袋装着時でも動作する。
5:サーモグラフィはファラデーの法則を利用した装置である。

ME2第28回午前：第58問

ペースメーカの電極リードとして、図のようなマルチフィラーコイル（平行巻き構造）が用いられる理由として正しいのはどれか。

img11202-58-0
1:刺激閾値上昇の防止
2:血栓の防止
3:横隔膜刺激の防止
4:断線の防止
5:電極溶出の防止

国試第7回午後：第10問

正しいのはどれか。

1:npn形バイポーラトランジスタでは、ベース電位がエミッタに対して負のときコレクタ・エミッタ間が導通する。
2:コレクタ接地のトランジスタは低い入力インピーダンスを必要とする場合に用いられる。
3:ジャンクション形FETを用いてインピーダンス変換回路は構成できない。
4:MOS‐FETを用いて論理回路は構成できない。
5:MOS‐FETは高入力インピーダンス回路の入力段に用いられる。

国試第35回午後：第27問

脳磁計について誤っているのはどれか。 

1:ホール素子が用いられる。 
2:センサの冷却に液化ヘリウムが用いられる。 
3:SQUIDが用いられる。 
4:電流ダイポールの位置が推定できる。 
5:磁気シールド室が必要である。 

国試第32回午前：第52問

電界効果トランジスタ(FET)について誤っているのはどれか。

a:MOS-FETは金属-酸化膜-半導体の構造をもつ。
b:FETはユニポーラトランジスタである。
c:FETのn形チャネルのキャリアは正孔である。
d:FETではゲート電流でドレイン電流を制御する。
e:FETは高入カインピーダンス素子である。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第36回午前：第52問

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1:n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 
2:p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 
3:真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 
4:真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 
5:共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。 

国試第16回午前：第53問

正しいのはどれか。

a:生体電気信号の導出には単極誘導と双極誘導とがある。
b:金属と電解質との接触面の静止電位は材質にかかわらず一定である。
c:皮膚インピーダンスは抵抗と電気容量との直列回路で近似される。
d:ArAgCl電極は不分極電極として生体用電極に用いられる。
e:電極接触インピーダンスは周波数依存性を示す。
1. a b c　2. a b e　3. a d e　4. b c d　5. c d e

国試第4回午後：第14問

正しいのはどれか。

1:磁界中の電流が受ける力の大きさは電流に比例する。
2:直線電流の付近では放射状の磁界が発生する。
3:磁界中を磁界の方向と直角に走行する電子は力を受けない。
4:2本の平行導線に同方向に電流が流れていると両者の間に力は働かない。
5:直線電流に平行に置かれた棒磁石は力を受けない。

国試第1回午後：第10問

磁気的な力について正しいのはどれか。

1:2本の平行導線に同方向に電流が流れていると、両者の間に反撥力が働く。
2:棒磁石を直線電流と平行においても、磁石は力を受けない。
3:2本の棒磁石を、T字形に配置しても、お互いに力は働かない。
4:電子が直線電流のそばを、これと同方向に走行しているとき、電子は直線電流から遠ざかる方向の力を受ける。
5:電流の流れている円形コイルの中心をコイル面と垂直に直線電流が貫いていると、円形コイルは直線電流を軸として回転するような力を受ける。

国試第15回午後：第83問

正しいのはどれか。

1:細胞膜は直流電流を通しにくい。
2:生体組織の導電率は周波数に反比例する。
3:比誘電率の大きさは生体組織の種類に依存しない。
4:細胞外液は細胞内液よりカリウムイオンを多く含む。
5:興奮していない細胞内の電位は細胞外に対して正である。

国試第21回午後：第13問

半導体について正しいのはどれか。

a:温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b:不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c:Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d:n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e:pn接合は発振作用を示す。
1. a b　2. a e　3. b c　4. c d　5. d e

国試第38回午前：第52問

常温において正しいのはどれか。

1:純水は導体とみなせる。
2:銅よりも金の抵抗率は小さい。
3:物質の導電率は電流に比例する。
4:電流密度は物質の抵抗値に比例する。
5:電線の抵抗値は断面積に反比例する。