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電子回路の過去問

国試第35回午後:第53問

図の回路について誤っているのはどれか。 

35153
1:RiとRfが等しいとき、増幅度の絶対値は1である。 
2:R;に流れる電流とRに流れる電流の大きさは等しい。 
3:VとVの極性は反対である。 
4:p点の電位はOVである。 
5:入力インピーダンスは無限大である。 

国試第35回午後:第54問

同相利得が20dB、同相除去比(CMRR)が100dBの差動増幅器の差動利得[dB]はどれか。 

1:60 
2:70 
3:80 
4:90 
5:100 

国試第35回午後:第51問

正しいのはどれか。 

a:理想ダイオードの順方向抵抗は無限大である。 
b:バイポーラトランジスタは電圧制御素子である。 
c:ピエゾ効果が大きい半導体は磁気センサに利用される。 
d:FETのnチャネルの多数キャリアは電子である。 
e:CMOS回路はバイポーラトランジスタ回路よりも消費電力が少ない。 
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第35回午後:第52問

図1の波形を図2の回路のV1に加えたときV0はどれか

35152

国試第20回午後:第17問

基本周波数が異なる波形はどれか。(電子工学)

20PM17-0

国試第20回午後:第18問

図の論理回路のXを示す論理式はどれか。(電子工学)

20PM18-0
1:A・B
2:A・B十C
3:A十B・C
4:A十B十C
5:A・B・C

国試第20回午後:第16問

差動増幅器の2つの入力端子間に振幅100mVの同相信号と振幅10mVの逆相信号 を同時に入力した。このとき出力では同相信号が10mVに減衰し、逆相信号は1Vに増幅されていた。この増幅器のCMRR(同相除去比)はどれか。(電子工学)

1:20dB
2:40dB
3:60dB
4:100dB
5:300dB

国試第24回午前:第56問

図の回路のa,bに0Vまたは5Vを入力したときのcの出力を表すのはどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオ-ドとし、表中の数字は電圧[V]を示している。(医用電気電子工学)

24AM56-0 24AM56-1 24AM56-2

国試第20回午後:第14問

図の回路で出力電圧V0はどれか。ただし、入力電圧V1=+0.1V、V2=+0.3V、Aは理想演算増幅器とする。(電子工学)

20PM14-0
1:-2V
2:-1V
3:0V
4:+1V
5:+2V

国試第20回午後:第15問

図の回路で入力端子a、bそれぞれに同時に同じ電圧Viの入力信号を加えた。出力信号VOの電圧はどれか。ただしAは理想演算増幅器とする。(電子工学)

20PM15-0
1:-2Vi
2:-4Vi
3:-6Vi
4:-12Vi
5:-18Vi

国試第24回午前:第55問

図の回路で入力端子a、bそれぞれに同じ入力電圧Viを加えた。出力電圧Voはどれか。 ただし、Aは理想演算増幅器とする。(医用電気電子工学)

24AM55-0
1:$-2V_i$
2:$-4V_i$
3:$-6V_i$
4:$-12V_i$
5:$-18V_i$

国試第20回午後:第13問

受光素子でないのはどれか。(電子工学)

1:ホトトランジスク
2:光導電素子
3:太陽電池
4:CCD
5:レーザダイオード

国試第24回午前:第54問

同相除去比(CMRR)が120dBの差動増幅器に100mVの同相信号を入力したときの出力が100μVであった。この増幅器に逆相信号10mVを入力したときの出力はどれか。(医用電気電子工学)

1:1mV
2:10mV
3:100mV
4:1V
5:10V

国試第20回午後:第12問

正しいのはどれか。(電子工学)

a:バイポーラトランジスタはn型半導体とp型半導体との組合せで構成される。
b:バイポーラトランジスタは多数キャリアと小数キャリアの両方が動作に関与する。
c:パイポーラトランジスタは電圧制御素子である。
d:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて低い。
e:FETには接合形と金属酸化膜形の二種類かおる。
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e

国試第24回午前:第52問

正しいのはどれか。(医用電気電子工学)

1:理想ダイオード゛の順方向抵抗は無限大である。
2:ダイオード゛に順方向の電圧を加えるとpn接合部に空乏層が生じる。
3:FETの入力インピーダンスはバイポーラトランジスタに比べて小さい。
4:FETではゲート電圧でドレイン電流を制御する。
5:バイポーラトランジスタはp形半導体のみで作られる。

ME2第29回午後:第6問

脳波計の補助出力端子に50μVの入力信号が1Vに増幅されて出力されるとき、増幅度は何dBか。ただし、log102=0.3とする。

1:40
2:46
3:80
4:86
5:100

国試第35回午前:第55問

図の回路のVに5Vを入力したとき、V。[V]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25055
1:-14
2:-7
3:0
4:7
5:14

国試第35回午前:第53問

図の回路において、V1.0Vのとき、抵抗Rに流れる電流は10μAであった。この回路の利得[dB]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とし、10g102=0.3とする。 

25053
1:
2:
3:12 
4:26 
5:40 

ME2第29回午前:第40問

半導体について誤っているのはどれか。

1:金属と絶縁体の中間の電気抵抗を示す。
2:p型半導体とn型半導体を接合させると整流現象を示す。
3:温度が上昇すると導電率は減少する。
4:ゲルマニウムに3価の不純物を添加した半導体は正孔が電気伝導をになう。
5:電流と直角に磁場をかけると両者に直交する方向に起電力を生ずる。

国試第35回午前:第54問

図のボルテージフォロワ回路の特徴で正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25054
a:入力抵抗は無限大である。 
b:出力抵抗はゼロである。 
c:バーチャルショートが成立する。 
d:利得は無限大である。 
e:反転増幅回路の一種である。 
1. a b c 2. a b e 3. a d e 4. b c d 5. c d e