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電子工学の過去問

国試第21回午後:第18問

通信方式について正しいのはどれか。

a:信号の振幅に応じて搬送波の位相を変調する方式をPWMという。
b:信号の振幅に応じて搬送波の振幅を変調する方式をFMという。
c:信号の振幅をパルス符号に対応させて変調する方式をPCMとう。
d:0、1の2値信号を周波数の高低に対応させて変調する方式をFSKという。
e:伝送路の周波数帯域を分割して多チャンネル信号を多重化する式をTDMという。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第59問

図の回路に等価なのはどれか。

25AM59-0
1:0R
2:AND
3:NOR
4:NOT
5:NAND

国試第21回午後:第16問

図の回路において入力電圧Viと出力電圧Voの関係を表す式はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。

21PM16-0
1:$V_{0}=-\frac {1}{CR}\frac {dV_{i}}{dt}$
2:$V_{0}=-CR\frac {dV_{i}}{dt}$
3:$V_{0}=-\frac {1}{CR}\int V_{i}dt$
4:$V_{0}=-CR\int V_{i}dt$
5:$V_{0}=-\frac {R}{C}\int V_{i}dt$

国試第21回午後:第17問

図の回路に、周波数fの正弦波電圧viを入力した。出力電圧voについて正しいのはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器、fo = 1 / 2πCfRf とする。

21PM17-0
a:fがfoより十分小さければ vo = -(Rf/Ri) vi となる。
b:fがfoより十分大きければ vo = -(Rf/Ri)vi となる。
c:f = fo でvoの振幅は最大となる。
d:fがfoより十分小さければvoの振幅は0に近づく。
e:fがfoより十分大きければvoの振幅は0に近づく。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第21回午後:第14問

図1に示す正弦波電圧viを図2の端子AB間に入力するとき、端子CD間の電圧波形voはどれか。ただし、ダイオードは理想ダイオードとする。

21PM14-0

国試第21回午後:第13問

半導体について正しいのはどれか。

a:温度が上昇しても抵抗は変化しない。
b:不純物を含まない半導体を真性半導体と呼ぶ。
c:Siに第3族のGaを加えるとp形半導体になる。
d:n形半導体の多数キャリアは正孔(ホール)である。
e:pn接合は発振作用を示す。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第25回午前:第55問

振幅変調(AM)において変調波が1~2kHzの周波数帯域を持つ信号で搬送波の周波数が1,000kHzであるとき、被変調波の側波について正しいのはどれか。

a:上側波帯の最高周波数は1,002kHzである。
b:上側波帯の最低周波数は1,000kHzである。
c:下側波帯の最高周波数は998kHzである。
d:下側波帯の帯域幅は 2 kHz である。
e:上・下側波帯の周波数スペクトルは対称である。
1. a b 2. a e 3. b c 4. c d 5. d e

国試第21回午後:第12問

発光素子はどれか。

1:ホトダイオード
2:サイリスタ
3:LED
4:CdS
5:CCD

国試第25回午前:第53問

図の回路でVaが20mVのときVi[mV]とVo[mV]の正しい組合せはどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25AM53-0
1:Vi =-2 , Vo = -400
2:Vi =-1, Vo = -200
3:Vi =-1, Vo = 200
4:Vi =2 Vo = 200
5:Vi =2 Vo = 400

国試第25回午前:第54問

図の回路はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とする。 

25AM54-0
1:積分回路
2:微分回路
3:反転増幅回路
4:非反転増幅回路
5:差動増幅回路

国試第25回午前:第51問

図の構造を持つ電子デバイスはどれか。

25AM51-0
1:バイポーラトランジスタ
2:MOS-FET
3:接合形FET
4:サイリスタ
5:フォトダイオード

国試第25回午前:第50問

正しいのはどれか。

1:半導体の抵抗は温度とともに高くなる。
2:p形半導体の多数キャリアは電子である。
3:シリコンにリンを加えるとp形半導体になる。
4:トランジスタは能動素子である。
5:理想ダイオードの逆方向抵抗はゼロである。

ME2第31回午前:第35問

電圧利得60dBの差動増幅器に0.5Vの同相電圧を加えたところ50mVの出力が得られた。同相弁別比は何dBか。

1:10
2:20
3:40
4:60
5:80

ME2第31回午前:第34問

img11208-34-0

国試第21回午前:第50問

雑音に関して誤っているのはどれか。

1:SN比を改善するために計測の周波数帯域幅を広くする。
2:増幅器の最小入力信号レベルは雑音によって規定される。
3:AD変換に伴って発生する雑音を量子化雑音という。
4:熱雑音は電子など荷電粒子の不規則振動に起因する。
5:白色雑音の電力は計測の周波数帯域幅に比例する。

国試第36回午前:第56問

図のようなアンテナはどれか。 

36056
1:ロッド 
2:アダプティブアレイ 
3:八木 
4:パラボラ 
5:ダイポール 

国試第36回午前:第55問

図の論理回路と真理値表が対応するとき、Fに入る論理演算はどれか。 

36055
1:AND 
2:OR 
3:NAND 
4:NOR 
5:XOR 

国試第36回午前:第53問

図の回路全体の増幅度は26dBである。抵抗値R[kX]はどれか。ただし、Aは理想演算増幅器とし、log102=0.3とする。 

36053
1:5
2:16
3:20
4:30
5:100

国試第36回午前:第54問

viが微分されてvoに出力される回路はどれか。 

36054

国試第36回午前:第52問

半導体の性質として正しいのはどれか。 

1:n型半導体の自由電子と正孔の数は等しい。 
2:p型半導体の多数キャリアは自由電子である。 
3:真性半導体ではどんな温度でも自由電子が存在しない。 
4:真性半導体に自由電子を供給する不純物をアクセプタという。 
5:共有結合から自由電子が移動して空になった部分を正孔という。